De acordo com relatos da imprensa estrangeira, engenheiros do Instituto de Tecnologia de Informação Eletrônica (Leti), uma subsidiária da Agência de Energia Atômica Francesa (CEA), afirmam que seu novo método de produção de Micro LEDs revolucionará a produção de displays de alto desempenho. LCDs e excelente qualidade de imagem e design de eficiência energética em comparação com LEDs orgânicos (OLEDs).
François Templier, diretor de estratégia de marketing da Leti Photonics, introduziu recentemente um novo processo de fabricação que combina semicondutores emissores de luz com circuitos de driver baseados em silício na semana de exibição da Sociedade Internacional para Exibição de Informações (SID) em San Jose, Califórnia.
O desenvolvimento de monitores de grande porte que exigem maior resolução de imagem significa que dispositivos eletrônicos mais rápidos são necessários para acionar todos os tipos de telas, incluindo o novo Micro comercial da Samsung, que inclui milhões de emissores individuais de pixels. Formato LED e outros produtos.
No entanto, os circuitos de acionamento existentes baseados em projetos de matriz ativa de transistor de película fina (TFT) não fornecem os requisitos necessários de corrente e velocidade. O novo método desenvolvido pela Leti produz um display LED de alta performance GaN Micro acionado pelo CMOS com um processo de transferência simplificado que elimina a necessidade de um backplane TFT convencional. Os micro LEDs vermelhos, verdes e azuis são empilhados diretamente no micro circuito CMOS antes da transferência de cada unidade para um substrato de recepção simples, e os emissores de luz e backplane são fabricados simultaneamente em uma escala wafer em uma única linha de processamento de semicondutores.
